收藏本站
Si4455
5. Controller Interface
5.1. Serial Peripheral Interface
The Si4455 communicates with the host MCU over a standard 4-wire serial peripheral interface (SPI): SCLK, SDI,
SDO, and nSEL. The SPI interface is designed to operate at a maximum of 10 MHz. The SPI timing parameters
are listed in Table 11. The host MCU writes data over the SDI pin and can read data from the device on the SDO
output pin. Figure 8 shows an SPI write command. The nSEL pin should go low to initiate the SPI command. The
first byte of SDI data will be one of the API commands followed by n bytes of parameter data which will be variable
depending on the specific command. The rising edges of SCLK should be aligned with the center of the SDI data.
Table 11. Serial Interface Timing Parameters
Symbol
t CH
t CL
Parameter
Clock high time
Clock low time
Min (ns)
40
40
SCLK
Diagram
t DS
Data setup time
20
t SS
t CL
t CH
t DS t DH
t DD
t SH
t DE
t DH
Data hold time
20
SDI
t DD
t EN
t DE
Output data delay time
Output enable time
Output disable time
20
20
50
SDN
SDO
t SS
t SH
t SW
Select setup time
Select hold time
Select high period
20
50
80
nSEL
t EN
t SW
nSEL
SDO
SDI
API Command
ParamByte 0
ParamByte n
SCLK
Figure 8. SPI Write Command
22
Rev 1.1
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4462DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
SI4463-915-DK KIT DEV WIRELESS SI4463 915MHZ
SI4465ADY-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 13.7A 8SOIC
SI4466DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC
SI4470EY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC
SI4472DY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC
SI4477DY-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
SI4483EDY-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
相关代理商/技术参数
Si4455-B1A-FMR 功能描述:射频收发器 Si4455 EZRadio Transceiver RoHS:否 制造商:Atmel 频率范围:2322 MHz to 2527 MHz 最大数据速率:2000 Kbps 调制格式:OQPSK 输出功率:4 dBm 类型: 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 最大工作温度:+ 85 C 接口类型:SPI 封装 / 箱体:QFN-32 封装:Tray
SI4455-B1A-GM 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:SI4455 EZRADIO TRANSCEIVER - Bulk
SI4455-C2A-GM 功能描述:IC RF TxRx + MCU General ISM < 1GHz 284MHz ~ 960MHz 20-VFQFN Exposed Pad 制造商:silicon labs 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 类型:TxRx + MCU 射频系列/标准:通用 ISM < 1GHz 协议:- 调制:FSK，GFSK，OOK 频率:284MHz ~ 960MHz 数据速率（最大值）:500kbps 功率 - 输出:13dBm（最小值） 灵敏度:-115dBm 存储容量:- 串行接口:SPI GPIO:4 电压 - 电源:1.8 V ~ 3.6 V 电流 - 接收:10.9mA 电流 - 传输:19mA ~ 24mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-VFQFN 裸露焊盘 标准包装:490
SI4455-C2A-GMR 功能描述:IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN 制造商:silicon labs 系列:* 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 封装/外壳:20-VFQFN 裸露焊盘 标准包装:1
SI4455DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI4455DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 150V 8.9A 5.9W 295mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4455DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 150V 8.9A 5.9W 295mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4456DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 33A 7.8W 3.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube